三星开拓了‘1 GIGA D RAM’的新时代

三星成功开发了‘1 GIGA D RAM’的半导体技术。上月18日，在美国夏威夷召开的第20届超高集成半导体（VLSI--Very Large Scale Integration）研讨会上，三星宣布已实现了电路0.11μm‘1 GIGA D RAM’技术的商业化。(1μm=1/100万m)由于半导体电路的大小将直接影响半导体的集成性能，所以一直以来，各商家都为此而展开着激烈的竞争。至今，半导体技术已能达到0.10μm以下，但此次三星突破了传统的科研，使大批量生产成为可能。

从81年起开办的VLSI研讨会，是由INTEL、NEC、IBM、东芝等大公司参加的，半导体世界级权威性国际会议。