三星电子成功开发了应用超微细技术“纳米（十亿分之一）级”工程技术的D内存半导体批量生产技术。无论是在内存半导体，还是在非内存半导体领域，这种技术均是世界首次被开发成功的。
16日，三星电子在汉城新罗饭店举行了国内外记者招待会，公布了正成功开发90纳米D内存批量生产技术的消息。并同时公布已成功试制了应用90纳米工程技术的2GB NAND（数据储存用）闪存。
此次成功开发的90纳米D内存是电路直径仅相当于人的一根头发直径的1250分之1的产品。三星电子计划于明年第三、四季度（7~9月）将这一技术应用于正在生产中的300mm(12英寸)晶片生产线上，批量生产512兆、1GBD内存产品。届时，与现在使用的0.12微米（um）工程技术相比，生产效率将提高2倍以上。
与此同时被开发出来的2GBNAND闪存将于明年上半年之内进入批量生产。利用该产品可以制作出大拇指大小的、容量为4GB的内存卡，4GB byte能储存70张音乐CD或4部电影。
三星电子内存事业部部长黄昌圭称：“在半导体工程技术方面，0.10um一直被称为‘魔鬼极限’，现在已经成功开发出应用90纳米批量生产D内存的技术，并成功试制了闪光内存，这表明我们与其它竞争企业的优势已经扩大为1年以上，有助于我公司的市场攻略。”
宇利证券分析师（半导体专业）崔锡布称：“如果把三星电子开发成功的纳米级生产技术应用于300mm晶片上，从理论上讲可以提高生产效率达3~4倍，在价格方面比日本和台湾的竞争企业更具竞争性。”“高集成产品NAND闪存前景看好，将提高半导体整个领域的生产性能。”
虽然现在正处于半导体不景气时期，但是三星电子半导体部门在3季度的纯利将高于2季度（4~6月）的10700亿韩元。
黄部长当天称：“三星电子占据同行业第一的NAND型闪存和DDR内存市场前景良好，3季度的销售额将优于2季度。”
朴重炫 sanjuck@donga.com
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