三星电子在世界上首次开发出了70 nm（纳米、1 nm是10亿分之1 m）的超微小工程技术的4 G闪存。
70nm技术是越过原有的90nm阶段的最微小的半导体工程技术，4 G级NAND（存贮数据型）闪存是目前世界上最大容量的闪存。
29日三星电子存贮半导体事业部总经理黄昌圭表示：“原有的D内存，在加上闪存等以技术最领先的70nm闪存的开发，掀开了崭新的‘纳米半导体时代’” 。
此次开发出来的4GB级NAND（存贮数据型）闪存半导体比竞争企业日本东芝领先9个月以上的情况下，应用了70纳米（10亿分之1米，半导体回路幅度）的技术。
三星电子继去年9月的2GB级产品开发之后，仅过了1年开发出了容量达到2倍的产品，从1999年之后连续4年将集成度每年提高至2倍。
存储器芯片内部线路的宽度仅仅是一根头发直径的14分之一，因此在同样的大小的基础上可以开发出更大容量的存储器。集成度与原有的90nm产品相比高出好几倍，因此在1张8GB级存贮卡可存贮2000首MP3歌曲，可存贮8个小时的数码影像。
如果三星电子在明年年末进入70nm存储器产品的生产，那么与原有的90nm工艺相比生产率将提高50%以上。
三星电子还公布，与此同时还确定了应用80纳米工艺的512兆DDR D内存批量生产技术。另外，还开发出了融合存贮能力卓越的NAND型和处理速度先进的NOR（代码存贮型）闪存优点的“Fusion”存贮器。
金泰韓 許振碩 freewill@donga.com jameshuh@donga.com
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