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三星电子在世界上首次开发出16千兆NAND闪存

三星电子在世界上首次开发出16千兆NAND闪存

Posted September. 13, 2005 07:33   

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三星电子又创造了一个半导体成功神话。

6年来一直实现存储器容量每年以2倍速度增加的“黄(黄昌圭总经理的姓)法则”,因此半导体新增长论获得了加倍的力量。

12日,三星电子在首尔中区奖忠洞新罗酒店举行记者会见发表称:“世界首次使用50纳米(1纳米是1米的10亿分之1)技术成功开发了16千兆NAND闪存。”

指甲大小的芯片可以存储16千兆数据,半导体线路宽度仅仅是50纳米,相当于头发丝直径的2000分之1。

三星电子总管半导体的黄昌圭总经理称:“明年下半年(7~12月)开始批量生产之后,会进入闪存代替纸的信息存储及传达功能的‘数码纸’时代。”

利用16千兆技术,可以制作最大32千兆闪存存储器。

32千兆存储卡可以存储20部(32小时)DVD电影,或者存储8000首(670小时)MP3文件,或者存储200年分量的日报信息。

三星电子从1999年开发256MB为开头,每年成功开发了存储器容量加大2倍的产品。

另外,半导体线路的宽度从2001年的100纳米成功缩小到50纳米,保持了技术领先地位。



李相錄 myzodan@donga.com