三星电子11日宣布:“将在代工厂(Foundry•半导体委托生产)事业领域追加11纳米新制程(11LPP•Low Power Plus)。”这意味着三星不仅是在最高级、在中高级智能手机用半导体领域也开始强化其领导力。
11纳米制程是指,将存储器半导体电路刻在11nm(纳米•1nm为10亿分之1米)的厚度上。因为电路厚度越小,就越能细密和精准地刻录,在相同的面积上可以实现更多的储存容量。11LPP制程与现有的14纳米制程相比,在相同的耗电水平下,性能最高可提高15%,芯片面积最多可减少10%。盖乐世Note8等目前高级智能手机上都安装了10纳米级处理器,三星电子计划通过11LPP制程,向不断成长的中高级智能手机处理器领域的顾客们提供改善的产品。11LPP制程计划在明年上半年(1 ~ 6月)投入生产。
另外,三星电子还以明年下半年(7月至12月)的投产为目标,顺利开发出了半导体业界第一个使用“极紫外线(EUV)技术”的7纳米制程。到目前为止,为开发该制程而使用的晶片约达20万张,出现了把以迄今为止积累的经验为基础展现Foundry制程的量产完成度的标准“SRAM”(256Mb)的(用化学方法处理原材料时的)的收率提高至80%等成果。
三星电子代工厂事业部营销主管李相铉表示,“通过11LPP制程,顾客可以在已得到验证的14纳米制程的稳定性上制造出再次提升了性能的产品。”并称,“完成了达到14、11、10、8、7纳米水平的发展蓝图。”三星电子计划于15日在日本东京举办“三星来样加工论坛(Samsung Foundry Forum)”,并发表上述内容。
金成圭 sunggyu@donga.com