SK海力士开发出第三代10纳米级DRAM

SK海力士21日表示，开发出了采用第三代10纳米级(1z)微细工艺的16Gb DDR4 DRAM(照片)。公司计划，在今年内完成批量生产准备后，从明年开始正式投入市场供给，预计届时全球半导体景气将得到恢复。

SK海力士开发的该产品比第二代产品(1y)提高了约27%的生产效率，而且无需远紫外线(EUV)曝光工艺也可以生产，大幅改善了成本竞争力。作为10纳米级DRAM来说，随着工艺越来越精细，可分为第一代(1x)、第二代(1y)、第三代(1z)。其原理是，随着时间的推移，生产的芯片的大小会变小，因此，一张晶片所需的芯片数量会增加，生产效率也会提高。DRAM的标准规格名称DDR，根据数据处理速度分为DDR3、DDR4等。

SK海力士方面表示，“此次第三代10纳米级(1z)DRAM实现了单一芯片标准业界最大容量16Gb，而且采用了前一代生产工艺中不曾使用的特定物质，极大化了DRAM动作的核心要素静电容量(Capacitance•可以储藏电荷的量)。”

DRAM开发事业1z课题组(TF)负责人李正勋(音)表示：“第三代10纳米级(1z)DDR4 DRAM在具备业界最高水平的容量和速度的基础上，再加上电力效率，因此这是一款最适合寻找高性能•高容量DDRAM的顾客需求变化的产品。将从明年起开始正式供应，积极应对市场需求。”


徐東一 dong@donga.com