三星电子首次开发出基于HKMG工艺的DRAM

三星电子开发出了比现有产品速度快一倍以上、耗电量少13%左右的新一代DRAM存储器模块。预计该模块将安装在服务器内存上，有助于提高大容量数据中心等的电力效率。

　三星电子25日表示，开发出了使用“HKMG(high-k绝缘层+金属栅极)”工艺的512GB DDR5内存模块。DDR5是新一代DRAM规格，与前一代DDR4相比，具备了一倍以上的性能。

　三星电子的DDR5 DRAM拥有7200Mbps(兆位/秒)数据传输速度。在1秒内可以传送2部30GB容量的超高清(UHD)电影。目前DRAM规格的DDR4的最高传输速度是3200Mbps，最大容量是256GB。

　三星电子开发的DDR5 DRAM采用了系统半导体制造过程中使用的HKMG工艺，减少了电力消耗。由于采用了减少浪费电流的工艺，与现有的存储器相比，电力消耗减少了13%左右。三星电子相关人士解释说：“以制造系统半导体的经验为基础，在DRAM制造上也将采用HKMG工艺，可以同时体现高性能和低电力”，“因为电力消耗较少，所以将在大容量数据中心或人工智能(AI)等电力效率重要的地方使用。”

　另外，在一般使用的DRAM中，首次使用了8段硅贯通电极(TSV)技术。TSV技术是在DRAM芯片上打孔，使芯片之间直接连接，从而大幅提高传输速度的技术。三星电子在2014年首次在DDR4内存上使用了4段TSV工艺，推出了64GB到256GB的高容量模块。


洪锡浩记者 will@donga.com