三星电子在业界首次开发出“基于CXL”的DRAM技术

主导全球存储器半导体市场的三星电子开发出了克服现有DRAM模块的物理局限的新一代技术。三星电子11日表示，在业界首次开发出了以新一代接口“计算快速链路(CXL)”为基础的DRAM存储器技术。

　新开发的CXL DRAM技术的特点是，可以显著改善现有数据中心的性能。三星电子方面表示：“CXL是为了更有效地利用高性能计算系统中与中央处理器(CPU)一起使用的存储器、储存装置等而新提出的接口”，“通过这个可以克服现有计算系统存储器容量的物理局限，并大幅扩张DRAM的容量。”

　实际上，随着最近利用人工智能(AI)、机器学习、大数据等事业领域的大幅增加，需要处理的数据量暴增。但是，目前的数据中心、服务器平台上使用的现有技术，DRAM储存容量有限，因此一直要求能够克服这一难题的新的应对方案。

　三星电子表示，此次开发的基于CXL的DRAM存储器已在英特尔平台上完成验证。这意味着确保了新一代数据中心要求的大容量DRAM解决方案基础技术。三星电子计划扩大与全球主要数据中心、云企业的合作。

　三星电子存储器事业部商品企划组常务朴哲民表示，“CXL DRAM技术将在新一代计算、大容量数据中心、AI等未来尖端领域发挥核心存储器解决方案的作用”，“将引领智能数据中心要求的新一代技术，并加强与全球企业的合作，使CXL生态系统能够快速扩张。”


徐東一 dong@donga.com