三星再次进攻，开发出“8纳米RF工艺技术”

三星电子开发出了进一步提高第5代(5G)移动通信用半导体代工(委托生产)技术力的新一代工艺技术。三星电子9日表示，成功开发出了新一代“8纳米RF工艺技术”。三星电子计划通过8纳米RF代工积极攻占5G通信半导体市场。

三星电子8纳米RF工艺的优点是，与之前的14纳米工艺相比，RF芯片面积可以减少约35%。电力效率也将提高约35%。半导体业界预测，通过8纳米RF工艺技术生产的RF芯片最早将搭载在今年下半年(7~12月)上市的5G旗舰智能手机上。

　RF芯片是将调制解调器芯片发出的数字信号转换成模拟信号并转换成无线频率，反过来也可以传输到调制解调器芯片的“无线频率收发半导体”。由变频、转换数字-模拟信号的Logic电路区和起到接收及放大频率作用的模拟电路区组成。

　半导体业界相关人士表示：“随着半导体工艺的精细化，Logic电路区的性能会提高，但在模拟区由于窄的线宽，存在电阻增加、消费电力提高的问题”，“三星电子开发出了在使用较少电力的同时也能大幅放大信号的RF专用半导体元件，并应用于8纳米RF工艺。”

　有评价称，通过此次8纳米RF工艺技术的开发，三星电子在全世界代工市场上再次证明了其技术实力。特别是在与中国台湾TSMC就最尖端精细工艺主导权展开激烈竞争的情况下取得的成果，因此意义更大。三星电子从2017年至今，以高端智能手机为中心，出货5亿个以上的移动RF芯片，保持着市场主导权。

　三星电子代工部技术开发室工程师李亨镇表示，“同时实现工艺精细化和RF性能提升的三星电子8纳米基础RF代工具备小型低电力、高品质通信的优点，可以为顾客提供最佳解决方案”，“将以最尖端RF代工竞争力为基础，积极应对包括5G在内的新一代无线通信市场。”

　三星电子的目标是到2030年为止占据全球系统半导体市场第一位，以精细工艺技术力及稳定的量产体制为基础，持续进行投资。三星电子在全球代工市场占有率方面，继排在第一位的TSMC(约53%)之后，位居第二(约18%)。


徐東一 dong@donga.com