SK海力士成功开发出世界最高层238层NAND闪存芯片

SK海力士成功开发出了目前NAND闪存半导体中最高层数的238层（堆栈）NAND闪存（照片）。现有的最高层NAND是美国美光公司的232层产品。

2日（当地时间），SK海力士在美国圣克拉拉开幕的世界最大的NAND闪存会议“Flash Memory Summit 2022”上公开了238层512Gb（千兆位）TLC 4D NAND闪存新产品。SK海力士表示，已经向顾客公司供应了相关样品产品，并计划在明年上半年（1~6月）开始批量生产。

　此次产品是SK海力士自2020年12月开发176层NAND后，时隔1年7个月推出的成果。虽然是最高层产品，但也是世界上最小的产品，这一点也引人注目。在当天的会议上，SK海力士NAND开发负责人（副社长）崔正达（音）表示：“本公司通过以4DNAND技术力为基础开发的238层层堆栈NAND Flash，在成本、性能、品质方面确保了全球顶级水平的竞争力”，“今后为了突破技术局限，将继续进行革新。”

　非挥发性存储器半导体NAND闪存是将基本存储单位“cell”垂直积累的技术能力非常重要的产品。积层段数越高，产品的数据储存容量就越大，同时在同一面积的晶片上可以制造出更多的芯片。 SK海力士从2018年开发的96层NAND开始，推出了超越现有3D设计的4D产品。在此过程中，采用了“Peri Under Cell（在Cell下方配置电路的技术）”等最尖端自主技术，提高了生产效率。

　SK海力士解释说，此次238层新产品与上一代的176层相比，生产效率提高了34%。数据传输速度为每秒2.4Gb，比上一代加快了50%。相反，芯片读取数据时使用的能源使用量反而减少了21%。

SK海力士计划优先出货用于电脑储存装置cSSD（client SSD）的238层产品，之后将产品应用范围扩大到智能手机用和服务器用高容量SSD等。接着，明年还将推出容量是目前512Gb两倍的1Tb产品。

　据市场调查企业Trend Force透露，今年第一季度（1~3月）全球Nand闪存市场占有率中，三星电子以35.3%位居第一，Kioxia（18.9%）位居第二，SK海力士（18.0%）位居第三。其后依次是西部数码（12.5%）、美光（10.9%）等。


郭道英 now@donga.com