三星电子量产世界最高容量的“1Tb第8代V-NAND闪存”

三星电子7日表示，将批量生产NAND闪存世界最高容量的“1 terabit（Tb•太字节）第8代V-NAND闪存 ”（照片）。此前的10月，三星在美国硅谷举行的“三星技术日”上公布了年内批量生产第8代V-NAND闪存的计划，时隔约一个月就取得了重大进展。

　此次量产的第8代V-NAND闪存最大将支持2.4Gbps（千兆比特每秒）的速度。与第7代V-NAND闪存相比，速度提高了约1.2倍。三星电子计划以此次第8代V-NAND闪存为先导，在主导新一代企业用高容量服务器市场的同时，将事业领域扩大到要求高度信赖性的汽车市场。

　今后三星电子的目标是2024年批量生产第9代V-NAND闪存，到2030年开发1000层V-NAND。从7月开始，除了现有的京畿华城、平泽及中国西安的NAND工艺外，京畿平泽3线也开始批量生产NAND，扩大了生产力。

　多种革新技术开发也在持续进行。最具代表性的事例有，最适合数据中心的高性能、低电耗产品和强化固态硬盘（SSD）内部运算功能的“计算机存储”、能够更有效地运营大容量存储的“分区存储（Zoned Storage）”等。

　三星电子从2002年开始一直占据全球NAND闪存市场第一的位置。据市场调查机构Omdia透露，以今年第二季度（4~6月）为基准，三星电子在全球NAND闪存市场的占有率为33.3%，高居第一。排在第二位的是SK海力士（包括Solidigm•20.4%），第三位是KIOXIA（16.0%）。

　三星电子虽然没有透露此次第8代V NAND的叠层层数，但业界推测是量产标准的最高层数。竞争公司美光7月宣布批量生产232层NAND，SK海力士8月宣布成功开发238层NAND闪存芯片。

　三星电子存储器事业部闪存开发室副社长许成会（音）表示：“还确保了控制随着V-NAND层数增加而产生的干涉现象的基础技术，将通过第8代V-NAND满足市场的需求，提供更加差别化的产品和解决方案。”


郭道英 now@donga.com