SK하이닉스, ‘12층 D램’ HBM3 세계 첫 개발

SK하이닉스가 세계 최초로 D램 칩 12개를 수직으로 쌓은 현존 최고 용량인 24GB(기가바이트) HBM3 신제품을 개발했다. 챗GPT 등 인공지능(AI) 챗봇 보급 등으로 점차 커지고 있는 AI 반도체 시장을 공략한다는 계획이다.

20일 SK하이닉스는 “지난해 6월 세계 최초로 HBM3를 양산한 데 이어 이번에는 용량을 50% 높인 24GB 패키지 제품을 개발하는 데 성공했다”고 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 끌어올린 제품이다. 기존 HMB3의 최대 용량은 D램 단품 칩 8개를 수직 적층한 16GB였다.

HBM3는 대량의 데이터를 신속히 처리하는 데 특화한 메모리로 평가받는다. 높은 반도체 성능을 요구하는 생성형 AI에 활용할 수 있어 빅테크 기업들의 수요가 늘고 있다. 현재 복수의 글로벌 고객사가 HBM3 24GB 샘플을 받고 성능 검증을 진행 중인 것으로 알려졌다.

SK하이닉스는 이번 제품에 어드밴스트 MR-MUF 기술도 적용했다. 어드밴스트 MR-MUF 기술은 반도체 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하는 공정이다. 홍상후 SK하이닉스 부사장(P&T담당)은 “세계 최고의 후공정 기술력을 바탕으로 초고속, 고용량 HBM 제품을 연이어 개발해 낼 수 있었다”며 “상반기(1∼6월) 내 이번 신제품 양산 준비를 완료해 AI 시대 최첨단 D램 시장의 주도권을 확고히 할 것”이라고 말했다.


구특교 kootg@donga.com