SK海力士在英特尔验证“最高速度”10纳米DRAM产品

SK海力士30日表示，最近将采用10nm（纳米）级第5代（1b）最尖端技术的服务器用DDR5产品投入到了英特尔的产品验证程序中。此前，三星电子18日表示，已批量生产同一第五代工艺12纳米级DDR5产品，因此，最尖端存储器技术竞争日趋激烈。

SK海力士解释说，相关DRAM产品最近进入了英特尔的“数据中心存储器认证程序”验证程序。如果通过该程序，今后可以实际适用于英特尔的新一代服务器用芯片.

新产品DDR5的工作速度为6.4Gbps（每秒6.4千兆比特），在目前市场上市的DDR5中实现了最高速度。与DDR5开发阶段公开的初期试制品相比，数据处理速度提高了33%。与前一阶段产品第4代（1a）DDR5相比，电力消耗减少了20%以上.

随着下半年（7~12月）半导体景气恢复的预测被提出，抢占市场的尖端工艺竞争将进一步深化。SK海力士DRAM开发负责人（副社长）金钟焕（音）表示：“将以业界最高水平的DRAM竞争力为基础，加速业绩改善，明年上半年将把最尖端1b工艺扩大适用到高带宽存储器（HBM）新一代产品等。”


郭道英 now@donga.com