27日（当地时间），三星电子在“三星晶圆代工论坛2023”上发表详细发表各产品群的2纳米量产计划，可以解释为已经确保了主要客户公司。三星电子以Gate All Around（GAA•全环绕栅极晶体管）晶体管技术为基础的超细微工艺，与台湾TSMC（台积电）等不同。
● 三星推出GAA工艺，有望超越TSMC
三星电子半导体（DS）部门负责人（社长）桂京贤最近表示：“顾客对GAA的反应非常好”，“虽然不能提及顾客公司的名字，但几乎所有值得了解的企业都在一起工作。”三星电子会长李在镕也在今年上半年（1~6月）接连会见了特斯拉首席执行官（CEO）埃隆•马斯克、英伟达（NVDA）CEO黄仁勋等，启动了全球网络。
在全球晶圆代工（半导体委托生产）战争中，后起之秀三星电子今年第一季度（1~3月）的占有率仅为12%左右。虽然位居世界第二，与占有率超过60%的台湾TSMC的差距太大。三星电子将新一代革新技术GAA作为新的武器。GAA是继现有的“FinFET（鳍式场效应晶体管）”之后出现的新一代晶体管结构，与FinFET工艺相比，可以提高数据处理速度和电力效率等。三星电子在去年6月批量生产3纳米产品时，在世界上首次使用了GAA工艺。去年下半年（7~12月）开始批量生产3纳米产品的TSMC采用了现有的FinFET工艺，选择首先确保稳定的投入产出比率。
对此，很多人评价说，在3纳米初期的投入产出率竞争和顾客公司确保战中，三星电子落后于TSMC。但也有分析认为，如果TSMC首次使用2纳米工艺，那么积累量产经验的三星将更有利。景社长在上个月的KAIST演讲中表示：“目前三星电子的4纳米技术力比TSMC落后2年，3纳米技术落后1年左右”，“而一旦TSMC使用2纳米工艺，情况会发生转变。三星有望在5年内超过TSMC。”
● 天文数字般的设备投资竞争非常激烈
设备投资竞争也非常激烈。三星电子正在投资170亿美元（约22.2万亿韩元）的美国得克萨斯州泰勒市代工工厂和京畿平泽市代工新生产线将展开“框架优先”速度战。其战略是，先从生产线进驻的净化室开始建设，确保空间后，根据今后的市场需求投入设备。因此，三星电子在2027年拥有的全部净化室规模将是2021年的7.3倍。今年3月三星发表了20年内在龙仁市投资300万亿韩元构建世界最大规模的系统半导体集群的计划，27日与政府一起决定将集群工程时间从7年缩短到5年，缩短2年。
TSMC也在向尖端晶圆代工新工厂投入巨额资金。在美国亚利桑那州投资400亿美元建设2个代工厂的同时，在日本熊本也建设86亿美元规模的新工厂。此外，熊本第二工厂、德国德累斯顿工厂等也在讨论之中。而晶圆代工后起之秀英特尔也接连在美国和欧洲等主要地区发表以万亿为单位的新工厂计划。
在“2纳米工艺”时代即将到来之际，国家间、企业之间展开没有硝烟的战争是因为晶圆代工，其中5纳米以下的尖端工艺是承诺高增长的未来核心市场。28日，据市场调查机构Omdia透露，从今年开始到2026年为止，如果全世界半导体市场年均增长9.1%，晶圆代工市场将增长12.9%。5纳米以下的尖端工艺销售额有望年均增长34.8%。据推算，以2026年为基准，整个代工市场将达到1879亿美元（约245.7万亿韩元），而5纳米以下市场将达到645亿美元。
郭道英 now@donga.com
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