“最高可判处18年有期徒刑”，防止半导体等技术外泄

今后，对半导体等国家核心技术泄露犯的处罚将从最高9年有期徒刑强化到18年。即使是初犯，也建议宣判实刑，即使泄露未遂，如果不完全返还并废弃被盗的技术，也不会减刑。大法院的量刑标准远远低于法定最高刑罚，因此引发了“从轻处罚”的争议，量刑委员会大幅提高了建议量刑。

19日，大法院量刑委员会（委员长李祥源）表示，前一天召开全体会议，表决通过了《知识产权•技术侵害犯罪量刑标准修订案》。量刑委员会建议，新设此前没有特别量刑标准的国家核心技术等国外侵害条款，最高判处18年有期徒刑。另外，对于之前与侵犯商业秘密行为被捆绑在一起，最高刑期仅为9年的产业技术海外泄露犯罪，也修改了量刑标准，最高可处以15年有期徒刑。

此前，有人指出，将半导体等国内企业的核心技术转移到国外的犯罪不断发生的主要原因之一是量刑标准低。虽然2019年《产业技术保护法》修订后技术泄露犯罪量刑有所增加，但法院的量刑标准没有改变，因此在审判中被判缓期执行的事例层出不穷。但是，由于此次量刑委员会的决定，法院制定了可以对泄露犯判处重刑的指导方针。

量刑委员会还新设了规定，如果窃取国家核心技术和产业技术，即使是初犯也不会酌情考虑，并限制缓期执行。另外，考虑到泄露对象是容易复制的数字设计图等，即使泄露尝试失败，也只有在受害物品被返还并完全废弃的情况下，才能将其作为减轻刑罚的因素。

考虑到泄露技术的金钱价值很难客观计算的特性，加重处罚对象中还包括“侵害投入相当金额研究开发费的专利权、商业秘密、技术等的情况”。在“对保密有特别义务的人”的范围中，明确包括客户和派遣职员等，在技术泄露时加重处罚。此次修订案将通过听证会等程序，于3月25日确定。


趙東住 djc@donga.com