与三星电子、SK海力士一起并称为三大存储器企业的美国美光公司将在美国、台湾、日本、东南亚等地扩充高带宽存储器（HBM）生产基地。随着人工智能（AI）市场的扩大，高性能存储器HBM的需求剧增，因此迅速扩大了生产量。直到去年，美光在HBM市场的占有率还只有5%左右，但最近随着展开攻击性投资，有人提出危机论称，三星和SK在AI市场的地位可能会比期待的要小。
据《日经亚洲》23日报道，美光公司正在考虑将马来西亚工厂改编为HBM生产基地的方案。美光一直将马来西亚工厂作为检测及组装等后工序基地运营，此次计划将把部分工厂转换为HBM专用生产线。
HBM是将多个DRAM垂直堆叠起来，划时代地提高数据处理速度的存储器。业界相关人士评价道：“HBM的核心是DRAM之间的结合有多精巧，因此后工序的重要性不亚于前工序”，“从这个角度来看，转换负责后工序的马来西亚工厂是有效的战略。”
据悉，美光公司正在推进在本公司最大的HBM生产基地台湾台中增设。核心研究开发（R&D）据点美国爱达荷州总公司正在加快HBM研究人力和设施的扩大速度。以2027年正式启动为目标的日本广岛工厂也计划集中生产HBM用DRAM。
与三星电子、SK海力士相比，虽然美光是HBM的后起之秀，但今年2月表示最先开始批量生产英伟达（NVIDIA）用第4代HBM（HBM3E），令业界大吃一惊。虽然SK海力士立即回应称“世界上首次批量生产的是我们”，但业界评价说，美光成功向英伟达供货本身就是一种威胁。
美光表示，明年将把5%左右的市场占有率提高到20~25%。HBM在整个DRAM市场所占的比重预计将从去年的8%扩大到今年的21%，明年将扩大到30%以上，因此将通过攻击性的投资来扭转局面。
但是，国内半导体业界也有分析认为，美光最近增设的工厂在明年或后年才能正式启动，因此很难迅速缩小占有率差距。据业界透露，三星电子、SK海力士的HBM产量是美光公司的6倍，差距很大。也有人指出，美光在投入产出率等品质方面尚未得到完全验证。
三星电子和SK海力士也为了不输掉主导权之争，正在扩大生产量。三星电子计划今年将HBM供应规模比前一年增加3倍，明年也将扩大2倍以上。 SK海力士计划在计划于明年年末竣工的忠北清州M15X工厂集中生产HBM等DRAM。
另一方面，也有人提出HBM供应过剩的可能性。韩国投资证券研究员蔡敏淑（音）分析称：“如果三星电子在第三季度（7~9月）内完成英伟达认证，并改善设备扩张和投入产出率，从2025年下半年（7~12月）开始可能会出现供大于求的局面。”
朴贤益记者 beepark@donga.com
About Dong-A Ilbo