SK하이닉스, 3세대 10나노급 D램 개발

　SK하이닉스가 3세대 10나노급(1z) 미세공정을 적용한 16Gb(기가비트) DDR4 D램(사진)을 개발했다고 21일 밝혔다. 올해 안에 양산 준비를 마친 뒤 글로벌 반도체 경기 회복이 예상되는 내년부터 본격적으로 시장 공급에 나설 계획이다.

　SK하이닉스가 개발에 성공한 이번 제품은 2세대 제품(1y) 대비 생산성을 약 27% 높이고, 극자외선(EUV) 노광 공정 없이도 생산이 가능하도록 해 원가 경쟁력을 대폭 개선한 것이 특징이다. 10나노급 D램은 공정이 미세해질수록 1세대(1x), 2세대(1y), 3세대(1z)로 나뉜다. 세대를 거듭할수록 생산하는 칩의 크기가 작아지기 때문에 웨이퍼 1장에 들어가는 칩의 개수가 늘어나 생산성이 높아지게 되는 원리다. D램의 표준 규격 명칭인 DDR의 경우 데이터 처리 속도에 따라 DDR3, DDR4 등으로 구분된다.

　SK하이닉스 측은 “이번 3세대 10나노급(1z) D램은 단일 칩 기준 업계 최대 용량인 16Gb를 구현했다”며 “또한 이전 세대 생산 공정에는 사용하지 않던 특정 물질을 적용해 D램 동작의 핵심 요소인 정전용량(Capacitance·전하를 저장할 수 있는 양)을 극대화했다”고 밝혔다.

　D램 개발사업 1z 태스크포스(TF)장 이정훈 담당은 “3세대 10나노급(1z) DDR4 D램은 업계 최고 수준의 용량과 속도에 전력 효율까지 갖춰 고성능·고용량 D램을 찾는 고객들의 수요 변화에 가장 적합한 제품”이라며 “내년부터 본격 공급에 나서 시장 수요에 적극적으로 대응할 방침”이라고 말했다.


서동일 dong@donga.com