米国の中国半導体規制の隙間に食い込む欧州

　

米国が中国を排除するグローバル半導体サプライチェーンの再編に乗り出した中、中国は欧州半導体メーカーと大規模な合弁投資に乗り出している。米国の対中輸出規制で生じた中国内での半導体空白を埋めながら、グローバル半導体市場のシェアを高めようとする欧州と半導体技術の確保が切実な中国の要求が合致したのだ。

８日、香港サウスチャイナモーニングポスト（ＳＣＭＰ）によると、スイス・ジュネーブに本社を置く車両半導体の強者・ＳＴマイクロエレクトロニクス（ＳＴＭ）と中国三安光電が、前日、中国主要製造ハブである重慶に３２億ドル（約４兆１８００億ウォン）規模の半導体合弁ベンチャーの設立に合意したと発表した。この合弁ベンチャーには、重慶市政府も資金を提供する。

新会社は、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）半導体を生産する計画だ。電気自動車、太陽光・風力発電部門に使われるＳｉＣ半導体は、中国が強みを持っている。米国は昨年８月、ＳｉＣ半導体を米政府の承認なしには中国に販売できない輸出規制の対象にした。中国がＳｉＣ半導体の生産設備を増設することにしたのは、米国の輸出規制に対する迂回路を探すための布石と分析される。三安光電のサイモン・リン最高経営者（ＣＥＯ）は、「（ＳＴＭとの合弁ベンチャーは）中国市場でＳｉＣが広範囲に使われる主要エンジンとして働くだろう」と期待した。

ＳＴＭのジャン・マルク・チェリーＣＥＯは声明で、「中国は電気自動車産業で急速に動いており、ＳＴＭは電気自動車分野での立地をよく構築している」とし、「現地のパートナーと専用ファウンドリ（半導体の受託生産）を作ることが増えている中国の需要に応える最も効果的方法だ」と述べた。ＳＣＭＰは、「ＳＴＭは中国で約４０年間活動しており、これを基に米中技術競争の激化にもかかわらず中国との関係を強化している」と分析した。

ＳＴＭと三安光電の重慶合弁ベンチャーは、米国が中国向け先端半導体・装置輸出を規制している中、中国は先端工程ではなく２８ｎｍ（ナノメートル・１ｎｍは１０億分の１メートル）の成熟工程を中心に半導体競争力を維持するという意志を強調したものだと、ＳＣＭＰは説明した。米国は昨年１０月、１４ｎｍ以下のシステム半導体、１８ｎｍ以下のＤラム、１２８段以上のＮＡＮＤ型フラッシュを生産できる装置や技術を中国に販売する場合、許可を受けるようにし、事実上中国への輸出を禁止した。


金祺容 kky@donga.com