三星、1ギガDーラムの新時代開く

三星(サムスン)電子が1ギガDーラムの常用化の時期を早める画期的な半導体回路線幅の

技術開発に成功した。サムスン電子は18日、先月アメリカのハワイで行われた第20回の

超高集積半導体(VLSI= Very Large Scale Integration)シンポジウムで回路線幅

0.11ミクロン(１ミクロン=100万分の1m)の1ギガDーラムの常用化技術を発表した。

回路線幅は半導体の材料であるウェイパーに刻まれる回路の厚さのことで、線幅が細かいほど半導体の集積度を高めることができるため、世界の半導体メーカーは回路の線幅の微細化競争を行っている。これまで1ギガDーラムの半導体を常用化するためには0.10ミクロン以下の工程技術を適用すれば可能であると知られていた。しかし、今回サムスンが0.11ミクロンの回路線幅技術で1ギガDーラムを生産する技術を開発したため、既存の設備を変えなくても1ギガD—ラムを量産することが可能になった。81年から開催されたVLSIシンポジウムはインテル、NEC、IBM、東芝などが参加している世界的にも権威のある半導体関連の国際会議だ。