三星(サムスン)電子が世界の半導体業界に先駆けて次世代300mm(12インチ)ウエハーラインを完成させ、半導体の量産体制を整えた。
また、大容量メモリー半導体である512メガDDR(二重資料率)DRAM製品の本格的な量産を開始した。
三星電子は29日、新羅(シルラ)ホテルで内外信記者団と懇話し、こうした内容を盛り込んだ次世代メモリー半導体事業推進戦略を発表。2005年までにメモリー部門の売上高を200億ドルに引き上げると明らかにした。
三星電子メモリー事業部の黄昌圭(ファン・チァンギュ)社長は「300mmウエハーを利用したメモリー半導体の大量生産とともに512メガDRAMも量産を開始した」と述べた。
同社は、7月末から京畿道華城(キョンギド・ファソン)2団地の11ライン内に300mmウエハー量産ラインを試験稼動した後、9月から本格稼動に入り、大手コンピューターメーカーに供給し始めたという。ウエハーとは半導体素子を作るのに使われる珪素薄板のこと。
黄社長は「300mmラインは、現在200mm(8インチ)ラインより生産量が2.5倍多く、製品生産原価を大幅減らせられる」とし、「300mmラインを早期に稼動することで原価競争力を高めることができた」と説明した。
三星側はまた、現在40%程度である汎用DRAMの割合を2005年に25%下げる代わりにソリューションDRAMの割合を25%、SRAMとフラッシュメモリーの割合を50%にそれぞれ上げるなど、メモリー事業の多角化を図ることにした。
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