三星電子、ナノ級メモリーの商用化に初めて成功

三星（サムスン）電子は、超微細技術である「ナノ（１０億分の１）級」の工程技術を適用したＤ−ＲＡＭメモリー半導体の量産技術の開発に成功した。この技術は、メモリーと非メモリー半導体を合わせて、世界半導体業界で初めて開発された。

三星電子は１６日、ソウル新羅（シンラ）ホテルで記者会見し、９０ナノＤ−ＲＡＭの量産技術を世界で初めて開発したと発表した。また同じ９０ナノの工程技術を適用し、業界で初めて２ギカバイト（ＧＢ）のＮＡＮＤ（データ保存用）フラッシュメモリーの実験生産にも成功したことを明らかにした。

量産技術の開発に成功した９０ナノＤ−ＲＡＭは、回路線間の幅が髪の毛の太さの１２５０分の１にあたる製品だ。三星電子は、来年第３四半期と第４四半期（７〜９月）中に、現在生産している３００ミリ（１２インチ）ウエハーの生産ラインに、この技術を適用し、５１２メガ、１ギガのＤ−ＲＡＭ製品を量産する計画であり、これによって、従来の０．１２マイクロメーターの工程技術に比べて、生産性が倍以上に向上するものと期待されている。また同時に開発された２ギガＮＡＮＤフラッシュメモリーは、来年上半期中に量産を始める予定。この製品を利用すると、親指の大きさで、４ギガ容量のメモリーカードを作ることができ、４ギガバイトは音楽ＣＤ７０枚または映画４本を保存できる大容量だ。

三星電子の黄昌圭（ファン・チャンギュ）メモリー事業部社長は「半導体の工程技術で『魔の壁』と認識されていた０．１０〓を跳び越える９０ナノ級の技術を駆使、Ｄ−ＲＡＭの量産とフラッシュメモリーの生産に成功することによって、競合メーカーとの技術格差を１年以上に広げ市場での掌握力も高まるだろう」と話した。

半導体専門アナリストのウリ證券の崔錫布（チェ・ソクポ）氏は「三星電子が開発したナノ級生産技術を３００ミリのウエハーに適用すれば、理論的にＤ−ＲＡＭの生産性を３〜４倍まで高められ、台湾や日本の競合メーカーに比べて卓越した価格競争力を備えるようになる」とし「また、高集積の製品を出したＮＡＮＤフラッシュメモリーは、高成長を繰り返しており、半導体部門全体の収益性も大きく改善されるはずだ」と話した。

一方、半導体景気の低迷にもかかわらず三星電子半導体部門の第３四半期の純益は、第２四半期（４〜６月）の１兆７００億ウォンよりも拡大されると見込まれている。

黄社長は１６日「三星電子が業界第１位を占めているＮＡＮＤ型のフラッシュメモリーとＤＤＲ−ＲＡＭなどで好調を見せていて、第３四半期の売り上げと利益規模は、第２四半期より増えるだろう」と語った。

朴重鍱 sanjuck@donga.com