三星電子、７０ｎｍ４Ｇメモリー世界初めて開発

三星（サムスン）電子が世界で初めて７０ｎｍ（ナノメートル、１ｎｍは１０億分の１メートル）超微細工程技術の４ギガフラッシュメモリーを開発した。

７０nm技術は従来の９０nmの壁を越えた最小線幅半導体技術であり、４ギガという容量はデータ保存（ＮＡＮＤ）型フラッシュメモリーとしては世界最大の容量だ。

三星電子メモリー事業部の黄昌圭（ファン・チャンギュ）社長は２9日、メモリー事業戦略発表会で「既存のＤラムフラッシュメモリーなどを含めた全てのメモリーの中で最も進んだ７０ｎｍフラッシュメモリー開発により、本格的な『ナノ半導体時代』を切り開いた」と述べた。

今回開発した４ギガＮＡＮＤ型フラッシュメモリーは競争相手の東芝より9ヶ月ほど進歩した技術。

三星電子は去年９月、２ギガ製品の開発に続き、１年間で２倍の容量の製品を開発し、１９９９年以来４年連続メモリー集積度を毎年２倍ずつ上げる快挙を果たした。

メモリーチップ内部の回路の線幅が髪の厚さの１４分の１程度に過ぎず、同じ大きさにさらに大きい容量のメモリーが作れる。従来の９０ｎｍ製品より集積度が倍以上高く８ギガバイトのモジュールにはＭＰ３音楽ファイルを基準に２０００曲、デジタル映像は８時間分を保存できる。

三星電子は来年末頃、７０ｎｍメモリー製品が量産されれば、従来の９０ｎｍ工程に比べ生産性が５０％以上向上するものと期待している。

三星電子はこの他にも独自の３次元トランジスター技術（ＲＣＡＴ）を使った８０ｎｍ級の５１２メガＤラムの量産技術を確保しており、ＮＡＮＤ型とコード保存（ＮＯＲ）型フラッシュメモリーの長所を結び付けた新概念の「フュージョンメモリーチップ」を販売すると発表した。

金泰韓 freewill@donga.com jameshuh@donga.com