三星(サムソン)電子の黄昌圭(ファン・チャンギュ)半導体総括社長が20日、ソウル中区(ソウル・チュング)新羅ホテルで開かれた記者会見で、同社が世界で初めて開発した回路線幅60ナノメートル、容量8ギガビットのNAND型フラッシュメモリ製品を発表している。
kjh@donga.com
三星(サムソン)電子の黄昌圭(ファン・チャンギュ)半導体総括社長が20日、ソウル中区(ソウル・チュング)新羅ホテルで開かれた記者会見で、同社が世界で初めて開発した回路線幅60ナノメートル、容量8ギガビットのNAND型フラッシュメモリ製品を発表している。