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NAND型フラッシュメモリ発表する三星電子社長

NAND型フラッシュメモリ発表する三星電子社長

Posted September. 20, 2004 22:03,   

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三星(サムソン)電子の黄昌圭(ファン・チャンギュ)半導体総括社長が20日、ソウル中区(ソウル・チュング)新羅ホテルで開かれた記者会見で、同社が世界で初めて開発した回路線幅60ナノメートル、容量8ギガビットのNAND型フラッシュメモリ製品を発表している。



kjh@donga.com