三星電子、１６ＧｂＮＡＮＤフラッシュメモリを世界初開発

三星（サムスン）電子の半導体成功神話がまたひとつ増えた。

メモリの容量が毎年２倍ずつ増えるだろうとした「黄（ファン＝黄昌圭社長の姓）の法則」は、６年間にわたって証明されており、半導体の新成長論にさらに弾みがついている。

三星電子は１２日、ソウル中区奬忠洞（チュング・チャンチュンドン）の新羅（シルラ）ホテルで記者会見を開き「世界に先駆けて５０ｎｍ（ナノメートル・１ｎｍは１０億分の１ｍ）工程を適用し、１６Ｇｂ（ギガビット）ナンド（ＮＡＮＤ）フラッシュメモリを開発した」と発表した。

爪の大きさのメモリチップ一つに１６Ｇｂのデータを保存でき、半導体の回路線幅は５０ｎｍで、髪の毛の太さの２０００分の１に過ぎない。

黄昌圭（ファン・チャンギュ）半導体総括社長は、「来年下半期（７〜１２月）に大量生産が開始されれば、フラッシュメモリが紙の情報保存および伝達機能にとって代わる『デジタル・ペーパー』時代が開幕するだろう」と説明した。

１６Ｇｂを利用すれば、最大で３２ＧＢ（ギガバイト・１ＧＢは８Ｇｂ）のフラッシュメモリカードが作れる。３２Ｇｂカードには、ＤＶＤ並の画質の映画２０本（３２時間）やＭＰ３の音楽ファイル８０００曲（６７０時間）、または日刊紙２００年分の情報が保存できる。

三星電子は、１９９９年の２５６Ｍｂ（メガビット）を皮切りに、毎年メモリ容量が２倍ずつ増えた製品の開発に成功してきた。さらに、半導体の回路線幅も０１年の１００ｎｍから５０ｎｍまで縮めることに成功し、技術優位を保っている。

myzodan@donga.com