삼성전자의 반도체 성공 신화가 또다시 이어졌다.
메모리의 용량이 매년 2배씩 커진다는 황(황창규 사장의 성)의 법칙은 6년째 적중하고 있어 반도체 신성장론이 더욱 힘을 얻고 있다.
삼성전자는 12일 서울 중구 장충동 신라호텔에서 기자회견을 갖고 세계 최초로 50nm(나노미터1nm는 10억분의 1m) 공정을 적용해 16Gb(기가비트) 낸드(NAND) 플래시 메모리를 개발했다고 발표했다.
손톱만 한 크기의 메모리칩 하나에 16Gb의 데이터를 저장할 수 있고 반도체 회로 선의 폭은 50nm로 머리카락 굵기의 2000분의 1의 불과하다.
황창규() 반도체총괄 사장은 내년 하반기(712월) 대량생산이 시작되면 플래시 메모리가 종이의 정보 저장 및 전달 기능을 대체하는 디지털 페이퍼 시대가 열릴 것이라고 말했다.
16Gb를 이용하면 최대 32GB(기가바이트1GB는 8Gb)의 플래시 메모리 카드를 만들 수 있다.
32GB 카드에는 DVD급 화질의 영화 20편(32시간)이나 MP3 음악파일 8000곡(670시간), 또는 일간지 200년 분량의 정보를 저장할 수 있다.
삼성전자는 1999년 256Mb(메가비트)를 시작으로 매년 메모리 용량이 2배씩 커진 제품을 개발하는 데 성공해 왔다.
또 반도체 회로 선의 폭도 2001년 100nm에서 50nm까지 좁히는 데 성공해 기술 우위를 유지하고 있다.
이상록 myzodan@donga.com
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