パソコンに保存されている１ＧＢ（ギガバイト）の大容量の映画一本を携帯用保存装置（ＵＳＢ）へ移すのに１秒もかからない次世代メモリが国内技術で開発された。
建国（コングク）大学物理学部のイ・サンウク教授、ソウル大学物理天文学部のパク・ヨンウ教授が共同参加した研究グループは１日、「現在、使用されているフラッシュメモリより情報を保存、削除する速度が、１０００倍以上速い新しい概念のメモリを開発した」と発表した。
同研究グループは、電荷（電気の性質を持つ小さい粒子）の伝達方式を変え、次世代メモリの情報処理速度を大幅に速めた。メモリは、電荷を盛る皿の役割をするフローティング・ゲートに電荷を入れ、抜く方法で信号を作る。フローティング・ゲートに電荷があれば「１」、そうでなければ「０」という信号が示される。トランジスタは、この信号を呼び出し、情報を処理するが、現在の方法では電気がよく伝わらない絶縁層に電荷を通すため、高圧電気を使用しており、速度が遅いだけでなく、消費電力も大きかった。
研究グループはこのような問題を解決するため、外部に金属板をフローティング・ゲートに直接接触させ、電荷を直接注入する新しい方式を世界で初めて試みた。ここにシリコン・トランジスタの代わりに、直径１ナノメートル（１ナノメートルは１０億分の１メートル）大の炭素ナノチューブで作られたトランジスタを適用し、応答速度を高めた。その結果、情報処理速度が大幅に速くなり、消費電力は既存フラッシュメモリの１０万分の１になった。
イ教授は、「２０年内に限界を迎えるシリコン基盤のフラッシュメモリの代案として、今回開発した次世代メモリのような炭素ナノチューブなど炭素で作られた電子素子が脚光を浴びるようになるだろう」と話した。
今回の研究結果は、科学学術誌の「ネイチャー」の姉妹紙、「ネイチャー・コミュニケーションズ」の１日付けのオンライン版に掲載された。
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