ＳＫハイニックス、第３世代１０ナノ級Ｄラムを開発

ＳＫハイニックスは、第３世代１０ナノ級（１z）微細工程を適用した１６Ｇｂ（ギガビット）ＤＤＲ・Ｄラム（写真）を開発したと、２１日明らかにした。今年中に量産準備を終えた後、グローバル半導体の景気回復が予想される来年から、本格的に市場供給に乗り出す計画だ。

ＳＫハイニックスが開発に成功した今回の製品は、第２世代製品（１ｙ）比生産性を約２７％高め、極紫外線（ＥＵＶ）の露光工程がなくても生産可能にして、コスト競争力を大幅に改善したのが特徴だ。１０ナノ級Ｄラムは、工程が細かくなる毎に、第１世代（１ｘ）、第２世代（１ｙ）、第３世代（１ｚ）に分けられる。世代を重ねるほど、生産チップの大きさが小さくなるため、ウェーハー１枚に入るチップの数が増え、生産性が高くなる原理だ。Ｄラムの標準規格名称であるＤＤＲの場合、データ処理速度に応じてＤＤＲ３、ＤＤＲ４などに区分される。

ＳＫハイニックス側は、「今回の第３世代１０ナノ級（１ｚ）Ｄラムは、単一チップ基準で業界最大容量である１６Ｇｂを具現化した」とし、「また、前世代の生産工程では使用しなかった特定物質を適用して、Ｄラム動作のコア要素である静電容量（Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ＝電荷を貯蔵できる量）を最大化した」と明らかにした。

Ｄラム開発事業１ｚタスクフォース（ＴＦ）長のイ・ジョンフン担当は、「第３世代１０ナノ級（１ｚ）ＤＤＲ４・Ｄラムは、業界最高水準の容量と速度に電力効率まで備えて、高性能・大容量Ｄラムを求める顧客ニーズの変化に最適な製品だ」とし、「来年から本格的に供給に乗り出し、市場需要に積極的に対応する方針だ」と語った。


徐東一 dong@donga.com