三星電子、業界初「ＣＸＬ基盤」ＤＲＡＭ技術を開発

世界のメモリー半導体市場を主導する三星（サムスン）電子が、従来のＤラムモジュールの物理的限界を克服する次世代技術を開発した。三星電子は１１日、業界で初めて次世代インターフェース「コンピューター・エクスプレス・リンク（ＣＸＬ）」基盤のＤラムメモリー技術を開発したと発表した。

新たに開発したＣＸＬ・Ｄラム技術は、従来のデータセンターの性能を画期的に改善できるようにしたのが特徴だ。三星電子側は、「ＣＸＬは、高性能コンピューティングシステムで中央処理装置（ＣＰＵ）と一緒に使われるメモリー、保存装置などをより効率的に活用するために新たに提案されたインターフェースだ」とし、「これにより、既存のコンピューティングシステムのメモリー容量の物理的限界を克服し、ＤＲＡＭの容量を画期的に拡張できる」と明らかにした。

実際、最近、人工知能（ＡＩ）、マシンラーニング、ビッグデータなどを活用する事業分野が大きく増え、処理しなければならないデータの量が爆発的に増加している。しかし、現在のデータセンターやサーバープラットフォームで使われる従来の技術では、Ｄラム保存容量に限界があり、これを克服できる新たな代案が地道に求められてきた。

三星電子は、今回開発したＣＸＬ基盤のＤラムメモリーを、インテルのプラットフォームで検証を終えたと明らかにした。次世代データセンターが求める大容量Ｄラムソリューション基盤の技術を確保したという意味だ。三星電子は、グローバル主要データセンターやクラウドメーカー各社との協力を拡大していく計画だ。

三星電子メモリー事業部商品企画チームのパク・チョルミン常務は、「ＣＸＬ・Ｄラム技術は、次世代コンピューティング、大容量データセンター、ＡＩなどの未来先端分野で重要なメモリーソリューションの役割を果たすだろう」とし、「スマートデータセンターが要求する次世代技術を先導し、ＣＸＬ生態系が早く拡張されるようグローバル企業との協力を強化していきたい」と明らかにした。


徐東一 dong@donga.com