三星電子、世界最大の「１テラ第８世代ＶＮＡＮＤ」量産

三星（サムスン）電子は７日、ＮＡＮＤ型フラッシュの世界最高容量である「１テラビット（Ｔｂ）の第８世代ＶＮＡＮＤ」（写真）の量産に入ると明らかにした。これに先立った、１０月の米シリコンバレーでの「三星テックデー」にて、年内に第８世代のＶＮＡＮＤの量産計画を明らかにしてから約１ヶ月ぶりのことだ。

今回量産する第８世代のＶＮＡＮＤは、最大２.４Ｇｂｐｓ（１秒当たりのギガビット）の速度を支援する。第７世代ＶＮＡＮＤに比べて約１.２倍向上した速度だ。三星電子は、今回の第８世代ＶＮＡＮＤを前面に出して、次世代企業向けの大容量サーバー市場を主導すると同時に、高い信頼性が要求される自動車市場にまで事業領域を広げていく計画だ。

今後、三星電子は、２０２４年に第９世代ＶＮＡＮＤの量産、２０３０年までに１０００段のＶＮＡＮＤの開発を目標にしている。７月からは、既存の京畿道華城（キョンギド・ファソン）・平沢（ピョンテク）および中国西安のＮＡＮＤ工程の他、京畿道平沢の第３ラインでもＮＡＮＤ量産を開始し、生産力を拡大した。

多様な革新技術の開発も続けている。データセンターに最適化された高性能、低電力製品とソリッドステートドライブ（ＳＳＤ）の内部演算機能を強化した「コンピューティングストレージ」、大容量ストレージをより効率的に運営できる「ゾーンストレージ」などが代表的事例だ。

三星電子は、２００２年からグローバルＮＡＮＤフラッシュ市場でトップの座を守ってきた。市場調査機関オムディアによると、今年第２四半期（４～６月）基準で、グローバルＮＡＮＤフラッシュ市場で三星電子は３.３％のシェアで１位を記録している。２位はＳＫハイニックス（ソリダイムを含む・２０.４％）、３位はキオクシア（１６.０％）だ。

三星電子は、今回、第８世代ＶＮＡＮＤの積層段数は明らかにしなかったが、業界では量産基準の最高段数と推定している。ライバル会社のマイクロンは７月、２３２段ＮＡＮＤの量産を発表し、ＳＫハイニックスは８月、２３８段ＮＡＮＤの開発に成功したと明らかにした。

三星電子メモリ事業部フラッシュ開発室のホ・ソンフェ副社長は、「ＶＮＡＮＤの段数が高くなるにつれて生じる干渉現象を制御する基盤技術も確保した」とし、「第８世代のＶＮＡＮＤを通じて市場の需要を満足させ、より差別化された製品とソリューションを提供していきたい」と明らかにした。


郭道英 now@donga.com