ＳＫハイニックスが「世界最高仕様」のＤＲＡＭを開発、ＮＶＩＤＩＡにサンプル供給

ＳＫハイニックスは、人工知能（ＡＩ）用超高性能Ｄラムの新製品である高帯域幅メモリ（ＨＢＭ）の第５世代（ＨＢＭ３Ｅ）の開発に成功したと、２１日明らかにした。業界で初めてＨＢＭの第４世代（ＨＢＭ３）の開発と量産に乗り出したのに続き、第５世代製品でも主導権の獲得に乗り出したのだ。ＨＢＭとは、複数のＤＲＡＭを垂直連結した製品で、従来のＤＲＡＭよりデータの処理速度が革新的に速くなり、生成型ＡＩなど高付加・高性能情報技術（ＩＴ）の領域で需要が伸びている。

ＳＫハイニックスは、新たに開発したＨＢＭの第５世代サンプルを、ＮＶＩＤＩＡなどの顧客会社に供給し、性能検証を進めている。ＮＶＩＤＩＡのイアン・バック副社長は、「ＮＶＩＤＩＡは、最先端のコンピューティング用ＨＢＭのために、ＳＫハイニックスと長い間協力を続けてきた」とし、「今後も、次世代ＡＩコンピューティングを披露するために、第５世代製品でも協業が続くことを期待する」と話した。ＮＶＩＤＩＡは、高性能ＡＩには欠かせないグラフィック処理装置（ＧＰＵ）の分野のグローバルトップ企業だ。ＳＫハイニックスは、昨年６月もＮＶＩＤＩＡにＨＢＭ３を供給し始め、業界で初めてＨＢＭの第４世代の量産に乗り出したことがある。

第５世代製品のデータ処理速度は１秒当たり１.１５ＴＢ（テラバイト）で、前世代に比べて４０％ほど速くなっている。これは、フルＨＤ級映画（５ＧＢ容量）２３０本分のデータを１秒で処理できる水準だ。ＳＫハイニックスは、「ＨＢＭ３を独占的に量産してきた経験を土台に、世界最高性能が具現されたＨＢＭ３Ｅの開発に成功した」とし、「来年上半期（１～６月）からＨＢＭ３Ｅの量産に入り、ＡＩ用メモリ市場で独歩的な地位を確固たるものにする」と強調した。

半導体業界では、メモリ不況を打開する戦略としてＡＩ用ＨＢＭを新たな成長エンジンにし、激しい競争を繰り広げている。三星（サムスン）電子も、ＨＢＭの第４世代の量産準備を終えたのに続き、今年下半期（７～１２月）中に第５世代製品の開発を終える計画だ。後発走者である米マイクロンも先月、第５世代級の「ＨＢＭ３ Ｇｅｎ２」の開発に成功し、顧客会社のサンプル検証を開始したと発表した。台湾の市場調査業者・トレンドフォースは、来年のグローバルＨＢＭ市場は、三星電子とＳＫハイニックスが各々４６～４９％を、マイクロンが４～６％を占めるだろうと予測している。


パク・ヒョンイク記者 beepark@donga.com