三星「次世代チップでＡＩ市場を主導」、映画４０本を１秒で処理するＤラム公開

「超巨大人工知能（ＡＩ）の時代は、技術革新と成長の機会が交差する。半導体業界にとっては、さらなる飛躍とともに挑戦の時間になるでしょう」

２０日（現地時間）、米シリコンバレーで開かれた「三星（サムスン）メモリテックデー２０２３」で、三星電子メモリ事業部の李禎培（イ・ジョンベ）社長は、ＡＩ市場の重要性をこのように強調した。三星電子は、データの処理量が急激に増大する「超巨大ＡＩ」市場を掌握するための次世代メモリソリューションを、大量に公開した。世界１位のメモリ半導体企業として、メモリパラダイムを主導し続けるという戦略だ。

超巨大ＡＩ時代には、膨大なデータを演算装置と早くやり取りする技術と、この過程で電力消費をどのように最小化するかなどがコアとなっている。三星電子は同日、第５世代高帯域幅メモリ（ＨＢＭ）製品であるＨＢＭ３Ｅ・Ｄラム「シャインボルト」を、初めて披露した。シャインボルトは、１秒当たり１.２ＴＢ（テラバイト）以上のデータを処理できる。３０ＧＢ（ギガバイト）容量の映画４０本を１秒で処理できるという意味だ。

三星電子は、次世代１１ナノ（１ナノは１０億分の１）級Ｄラムを、業界最大水準の集積度を目標に開発していると明らかにした。また、１０ナノ以下のＤラムで３次元（３Ｄ）の新構造の導入を準備していると紹介した。この技術開発が商用化されれば、単一チップで１００Ｇｂ（ギガビット）以上の容量を確保できる。三星電子は先月、１２ナノ級で開発した現存の最大集積度のＤＲＡＭの新製品（３２Ｇｂ）を発売した。３Ｄの新構造が開発されれば、容量を３倍以上に引き上げることができるようになる。

ＮＡＮＤ型フラッシュの場合、第９世代ＶＮＡＮＤ（垂直に積み上げたメモリ）で、ダブルスタック構造（ＮＡＮＤ２個を付けて段数を高める技術）で具現できる最高段数を開発していると公開した。三星電子は、この新規ＮＡＮＤ製品を、来年初めに量産するという目標を明らかにした。

自動運転システムの高度化に効率的に対応できる案も提示された。脱着が可能な車両用ソリッドステートドライブ（ＳＳＤ・保存装置）がそれだ。元々は、システムごとに別途のＳＳＤが必要だった。今回の新製品は、一つの保存装置が「システムの頭脳」の役割をする複数のシステムオンチップ（ＳｏＣ・色々なシステムを具現する単一チップ）と連結される。車内の電装設計がそれだけ簡単になる。取り外しが可能で、状況に応じて容量を簡単に高めることもできる。

李社長は、「無限の想像力と大胆な挑戦を通じて、革新を導く」とし、「顧客・パートナーとの密接な協力で限界を越える拡張されたソリューションを提供し、メモリ市場を継続的に先導していく」と話した。


ピョン・ジョングク記者 bjk@donga.com