三星（サムスン）電子やＳＫハイニックスと共に、世界の３大メモリ起業である米マイクロンが、米国や台湾、日本、東南アジアなどに高帯域幅メモリ（ＨＢＭ）の生産基地の拡充に乗り出す。人工知能（ＡＩ）市場の拡大により、高性能メモリであるＨＢＭの需要が急増すると、いち早く生産量の拡大に乗り出している。昨年までは、マイクロンのＨＢＭの市場シェアは５％内外で微々たるものだったが、最近攻撃的な投資に乗り出しており、ＡＩ市場での三星とＳＫの立地が期待より減りかねないという危機論まで出ている。
２３日、日経アジアによると、マイクロンはマレーシア工場をＨＢＭ生産基地に見直す案を検討しているという。マイクロンは、マレーシア工場をテスト（検査）およびパッケージング（組み立て）などの後工程基地として運営してきたが、一部をＨＢＭ専用ラインに切り替えるという。
ＨＢＭとは、複数のＤラムを垂直に積み上げ、データの処理速度を画期的に引き上げたメモリ装置だ。業界の関係者は、「ＨＢＭは、Ｄラム間の結合をどれほど精巧にできるかが重要であり、前工程に劣らぬほど後工程が重要だ」とし、「このため、後工程を担当していたマレーシア工場を転換することは効率的な戦略だ」と評した。
マイクロンは、自社の最大のＨＢＭ生産基地である台湾の台中でも増設を推進しているという。主要研究開発（Ｒ＆Ｄ）拠点である米アイダホ州の本社では、ＨＢＭの研究人材と施設の拡大に拍車をかけている。２０２７年の本格的な稼動を目標に建設している日本の広島工場でも、ＨＢＭ用Ｄラムを集中的に生産する計画だ。
マイクロンは、三星電子やＳＫハイニックスに比べて、ＨＢＭの後発走者だったが、今年２月、真っ先にエヌビディア向けの第４世代ＨＢＭ（ＨＢＭ３E）の量産を開始したと明らかにして、業界を驚かせた。直ちにＳＫハイニックスは「世界初の量産は私たちだ」と対抗したが、業界はマイクロンがＮＶＩＤＩＡへの納入に成功したことだけでも脅威だと評価した。
マイクロンは、５％程度の市場シェアを来年は２０～２５％にまで引き上げるという目標を明らかにしている。ＨＢＭが全体Ｄラム市場で占める割合は、昨年の８％から今年は２１％、来年は３０％以上に拡大すると予想されるだけに、攻撃的な投資で逆転に乗り出すという。
ただ、韓国国内半導体業界からは、マイクロンが最近増設に入った工場は、来年または再来年に本格的な稼動に入ると予想されるだけに、シェアの格差を急速に縮めることは難しいという分析も出ている。業界によると、三星電子やＳＫハイニックスのＨＢＭの生産量はマイクロンの６倍の水準で、差が大きい。マイクロンは、収率など品質面で完全に検証されていないという指摘もある。
三星電子とＳＫハイニックスも主導権争いで負けないため、生産量の拡大に乗り出している。三星電子は今年、ＨＢＭの供給規模を前年比３倍に増やし、来年も２倍以上に拡大する計画だ。ＳＫハイニックスは、来年末に完成予定の忠清北道清州（チュンチョンプクト・チョンジュ）のＭ１５Ｘ工場で、ＨＢＭなどＤラムを集中的に生産する方針だ。
一方、一部からは、ＨＢＭの供給過剰の可能性も提起されている。韓国投資証券のチェ・ミンスク研究員は、「三星電子が第３四半期（７～９月）中にＮＶＩＤＩＡからの認証を完了し、設備拡張と収率改善をしていくならば、２０２５年下半期（７～１２月）からは供給過剰になることもありうる」と分析した。
パク・ヒョンイク記者 beepark@donga.com
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