ＳＫハイニックス、世界初の１０ナノ級「第６世代Ｄラム」開発

ＳＫハイニックスが、世界で初めて最新工程を採用したＤラムの開発に成功した。人工知能（ＡＩ）時代のシステム半導体だけでなく、メモリ半導体でも高性能仕様を実現するための技術競争が激しくなっている。

ＳＫハイニックスは２９日、１０ナノメートル（１ナノメートルは１０億分の１メートル）級の第６世代１ｃ工程を採用したＤＤＲ５の開発に成功したと発表した。１０ナノメートル級Ｄラムの工程は、第１世代の１ｘ（１８ナノメートル）から始まり、１ｙ（１７ナノメートル）、１ｚ（１５～１６ナノメートル）、１ａ（１３～１４ナノメートル）、１ｂ（１２～１３ナノメートル）、１ｃ（１１～１２ナノメートル）の順にアップグレードされた。半導体回路の線幅を表すナノメートルは、低いほど微細になる上、性能は高くなり、電力効率も改善されることを意味する。第５世代１ｂは昨年５月、三星（サムスン）電子が先に量産に乗り出したのに対し、第６世代１ｃはＳＫハイニックスが今回、先に開発に成功したと発表することになった。

ＳＫハイニックスは、１ｂ工程基盤を拡張する方法で１ｃを開発し、これを通じて工程の高度化中に発生しうる試行錯誤を減らしたと強調した。ＳＫハイニックスは、「１ｂの強みを最も効率的に１ｃに移した」とし、「年内に１ｃＤＲＡＭの量産準備を終え、来年から製品を供給する」と話した。１ｃベースのＤラムは、主に高性能データセンターに活用されるものと見られる。動作速度は前の世代に比べて１１％速くなり、電力効率は９％以上改善された。また、設計革新を通じて、１ｃ工程の生産性は１ｂ比３０％以上向上した。

ＡＩ時代に最も脚光を浴びているメモリの一つである高帯域幅メモリ（ＨＢＭ）の性能改善も期待される。１ｃ技術は、ＨＢＭ第７世代のＨＢＭ４Ｅに採用される見通しだ。現在、ＨＢＭの主流はＨＢＭ３（第４世代）、ＨＢＭ３Ｅ（第５世代）だ。ＳＫハイニックスが今回開発した１ｃ工程は、中長期的ポートフォリオまで狙った最新技術だ。

三星電子も、１ｃが採用されたＤラムを近く開発し、年内に量産する計画だ。メモリ業界は早くも、次の７世代である１Ｄ（１０ナノメートル）をめぐって主導権争いを始めている。１０ナノメートルは、メモリで「魔の壁」と見なされる領域で、誰が先手に打って出るかがカギとなっている。

パク・ヒョンイク記者 beepark@donga.com