三星電子の第５世代ＨＢＭ「第４四半期に販売拡大」

三星（サムスン）電子が、第３四半期の半導体（７～９月）事業で３兆８６００億ウォンの営業利益を上げた。第５世代高帯域幅メモリ（ＨＢＭ）「ＨＢＭ３Ｅ」を、年内にエヌビディアに供給する可能性も示唆した。

三星電子は３１日、第３四半期の連結基準の売上が７９兆１０００億ウォン、営業利益が９兆１８００億ウォンと集計されたと明らかにした。半導体（ＤＳ）部門の営業利益は３兆８６００億ウォンだった。前期に比べて２兆５９００億ウォンが減少した。ＨＢＭのＮＶＩＤＩＡへの供給が延ばされ、汎用市場では中国産ＤＲＡＭの供給が拡大する中、ファウンドリ（半導体の受託生産）・システムＬＳＩ事業部が１兆ウォン半ば後半台の赤字を出したためだ。さらに来年初めに支給される１兆ウォン程度の成果給費用も影響を及ぼした。三星電子は、「インセンティブなどの一回性費用を除いて、ファウンドリ・システムＬＳＩ事業部の赤字規模を勘案する時、メモリ事業部の営業利益は７兆ウォンに近い水準と推定される」と説明した。

第３四半期の研究開発費は、四半期基準では最大の８兆８７００億ウォンを記録した。第３四半期の全体営業利益の約９７％に当たる。

三星電子メモリ事業部のキム・ジェジュン副社長は同日、業績発表でＨＢＭ３Ｅの供給について、「主要顧客会社の品質テストの主要段階を完了した。第４四半期（１０～１２月）中に販売が拡大すると予想する」と明らかにし、年内のＮＶＩＤＩＡへの供給を示唆した。


郭道英 now@donga.com