
三星(サムスン)電子は31日、昨年第4四半期(10~12月)の連結基準の売上高が75兆8000億ウォン、営業利益は6兆5000億ウォンだったと確定公示した。半導体の低迷が続く中、三星電子は今年上半期(1~6月)に、第5世代帯域幅メモリ(HBM)の設計変更製品を供給することに生き残りをかける予定だ。
三星電子は、昨年第4四半期に半導体(DS)部門の営業利益が2兆9000億ウォンを出し、同年第2四半期(4~6月)以降、2期連続で半導体の営業利益が減少した。メモリ事業部で5兆ウォン台の営業利益を出したが、ファウンドリ(半導体受託生産)事業部とシステムLSI事業部を含めたシステム半導体の分野で、2兆ウォン以上の赤字を出したという。
三星電子が昨年、半導体部門で低迷した背景には、モバイルやパソコン用Dラム市場の低迷とともに、最大需要先であるHBM市場で気を逸したことが挙げられる。現在、HBM市場の主役である第5世代「HBM3E」12段製品の米国エヌビディアへの供給が、当初の目標時期だった昨年第4四半期を過ぎている。同日、ブルームバーグは、三星電子のHBM3E8段製品は昨年末、NVIDIAから供給承認を受けたと報じたりもした。
三星電子DS部門メモリ事業部のキム・ジェジュン戦略マーケティング室長(副社長)は、業績発表後に続いたカンファレンスコールで、「HBM3Eの改善製品を今年第1四半期(1~3月)末から量産し、第2四半期から供給を本格化する予定だ」とし、「(その以降の段階である)HBM4は、今年下半期(7~12月)の量産を目標に開発している」と明らかにした。
半導体が低迷している時、三星電子の業績を後押ししていたデバイス経験(DX)部門の事業業績も明るくなかった。スマートフォンの販売が減り、モバイル経験(MX)・ネットワーク事業部が、前期と前年同期比共に減少した2兆1000億ウォンの営業利益を出した。
業績の下落は、今年上半期まで続くものと見られる。三星電子は、「今年は対外の不確実性の中で、上半期の劣勢が続くと予想している」とし、「第1四半期の業績改善も限られている」と明らかにした。メモリ半導体の低迷とともに、米政府の先端半導体の輸出統制も変数として指摘されている。
一方、三星電子の昨年の年間売上高と営業利益は、それぞれ300兆9000億ウォンと32兆7000億ウォンで、それぞれ前年比16.2%と397.7%が伸びた。年間売上高は、2022年(302兆2000億ウォン)以降、2度目に300兆ウォンを越えた。三星電子は昨年、研究開発費として年間最大の35兆ウォンを投資したと明らかにした。
郭道英 now@donga.com