삼성전자，新메모리 반도체 국내 첫 개발

설계가 쉽고 많은 용량을 담을 수 있는 D램과 속도가 빠른 S램,전원이 꺼져도 데이터가 지워지지 않는 플래시 메모리 등 모든 메모리 반도체의 장점만을 모은 새로운 메모리가 국내최초로 개발됐다. 삼성전자는 24일 삼성종합기술원과 공동으로 새로운 메모리 반도체 「F 램(Ferroelectric RAM ; 强誘電體 메모리)」을 개발했다고 발표했다. 이 반도체는 일시적으로 전기를 가해 발생한 분극(分極) 상태가 전기가 끊어져도 유지되는 강유전(强誘電)물질을 정보를 기억시키는 소자인 커패시터에 사용함으로써 D램과 같은 수준의 데이터 처리가 가능하며 플래시메모리와 같이 전원공급이 끊어져도 기록된 데이터가 지워지지 않는 장점을 갖추고 있다. 또한 D램과 같이 일정 시간마다 데이터의 보전을 위해 전원을 공급해줄 필요가 없어 전력소모를 줄일 수 있다. 「F 램」은 美 램트론社가 상품화에 성공해 현재 64K 시제품이 시판되고 있으며 최근에는 NBC, 히타치 등 일본 반도체 업체들도 적극적으로 개발을 추진하고 있다. 램트론社의 ‘F 램’이 2개의 트랜지스터와 커패시터를 갖춘 2T/2C 구조인데 비해 삼성전자는 세계최초로 1T/1C구조를 채택, 소자면적을 D램수준까지 접근시켰으며 칩내의 배선을 알루미늄 2중라인으로 채택해 단일 배선인 기존제품에 비해 데이터처리 속도를 단축시켰다. ‘F 램’은 도로요금 징수 시스템, 게임기, 가전기기, 전자수첩 등에 부분적으로 쓰이고 있으나 휴대형 정보기기나 멀티미디어 기기 등에 응용되면서 수요가 급증해 오는 2000년에는 세계시장 규모가 1백억-3백억달러에 이를 것으로 전망된다.