「白宇鎭기자」 삼성전자는 이번 1기가D램 개발로 21세기에도 세계 메모리반도체시장을 주도할 수 있는 자리를 선점했다.
1기가D램 시장은 오는 2002년부터 형성되기 시작, 2005년에는 256메가D램을 제치고 주력제품으로 자리잡을 것으로 전망된다.
1기가D램은 10년뒤의 주력 제품이지만 삼성전자는 이번에 확보된 기술을 16메가D램 및 64메가D램 생산에 적용함으로써 당장에 생산원가를 낮추는 효과도 거둘 수 있게 됐다.
李潤雨사장은 『삼성전자의 현재 1기가D램 기술수준은 지금이라도 공장을 지으면 당장 양산할 수 있는 단계』라고 강조했다.
차차세대 반도체인 1기가D램은 모든 단위소자가 작동하는 풀리 워킹 다이 단계를 거쳐 엔지니어링 샘플과 상업용샘플의 성능을 수요처로부터 인정받은 뒤 양산에 들어갈 예정.
삼성전자의 1기가D램 개발은 기술적으로는 물질 특성의 한계를 뛰어넘은 신기원의 의미가 있다.
반도체 업계 일각에서는 기존회로 기술로는 256메가D램이 이미 한계에 이르렀기 때문에 1기가D램을 비롯한 다음세대 반도체 개발은 사실상 불가능할 것으로 간주해 왔다.
삼성전자 李鍾吉전무는 『이번 개발로 기가급 D램을 만들어낼 수 있다는 것을 입증했다』고 설명했다.
李전무는 이번에 적용된 △리던던시 △평탄화 △고유전체물질을 사용한 새로운 캐퍼시티기술 등을 보완하면 4기가D램과 16기가D램도 개발이 충분히 가능하다고 밝혔다.
삼성전자는 1기가D램과 관련, 국내외에 1백69건의 독자기술을 특허 출원함으로써 경쟁사와의 특허협상에서도 유리한 지위를 차지하게 됐다.
삼성전자의 1기가D램 개발에는 지난 2년5개월동안 1백20명의 연구인력과 2천2백억원이 투입됐다.
1기가D램 개발 전담팀은 256메가D램 개발을 눈앞에 둔 지난 94년5월 결성됐다.
전담팀은 지난해 12월 1기가D램 수준의 초미세회로로 16메가급 D램을 개발했다.
이어 지난 6월 1기가D램 칩의 설계를 마치고 이 설계에 따라 웨이퍼 가공에 들어가 지난달 모든 단위소자가 완벽하게 작동하는 풀리 워킹 다이를 확보하는 개가를 올렸다.
