삼성,1GD램 세계 첫 개발…『전자제품 초소형화 전기』

  • 입력 1996년 11월 4일 20시 30분


삼성전자가 차차세대 메모리반도체인 1기가D램을 세계 처음으로 개발했다. 삼성전자는 4일 『모든 단위 기억소자가 완벽하게 작동하는 1기가D램(사진)을 개발하는데 성공했다』고 발표했다. 이번 1기가D램 개발은 외국의 경쟁사보다 1년∼1년반 앞선 것이며 앞으로 컴퓨터 멀티미디어 및 전자제품의 고성능화와 소형화를 앞당기는 결정적 전기가 될 것이라고 삼성전자는 밝혔다. 이 회사 李潤雨반도체총괄사장은 이날 서울 삼성본관에서 기자간담회를 갖고 『NEC 등 경쟁업체들이 개발 아이디어를 학회에서 발표하는 단계인데 비해 삼성전자는 10억7천4백만개의 단위소자가 전부 작동하는 「풀리 워킹 다이」를 확보했다』고 설명했다. 이번에 개발된 1기가D램은 우표 정도 면적인 5백70㎟의 칩 속에 10억개 이상의 기억소자를 쌓아 놓은 초대용량 메모리반도체이다. 정보 저장용량은 256메가D램의 4배로 신문지 8천장, 단행본 1백60권이며 정지화상은 4백장, 음성정보는 16시간 분량을 담을 수 있다. 1기가D램은 컴퓨터 및 고성능 워크스테이션의 주기억장치에 주로 사용되고 멀티미디어 제품과 고화질TV에도 응용될 전망이다. 이번에 개발된 제품은 초전압 구동 설계기술을 응용, 1.8∼2.0V의 저전력화를 실현했고 머리카락 1가닥 속에 6백개의 가는 선을 그리는 수준인 0.18㎛(1㎛는 1백만분의 1m)의 초정밀 미세가공기술이 적용됐다. 〈白宇鎭기자〉
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