경기화성에 대규모 반도체단지…30만평규모 내년가동

삼성전자는 차세대 D램 반도체를 중점 생산하기 위해 경기 화성에 30만평 규모의 반도체단지를 조성키로 하고 16일 착공식을 가졌다. 삼성전자는 공단조성에 총 18억달러(약 2조1000억원)를 투입할 예정이다.

반도체총괄 이윤우(李潤雨)사장은 이날 현지에서 가진 착공식에서 “2001년 1·4분기(1∼3월)까지 투자액을 전액 투입하며 내년 3·4분기(7∼9월)부터 128메가, 256메가 램버스 등의 차세대 D램반도체를 생산하게 된다”고 말했다.

삼성전자가 세계최대의 기흥 반도체복합단지(40만평)에 이어 화성에 조성하는 반도체 제2단지는 8인치 웨이퍼를 월 3만2000장까지 생산할 수 있으며 세계최초로 회로선폭 0.15㎛(마이크로미터·1㎛는 100만분의 1m)의 초미세 집적기술을 적용한 D램반도체 전용 공장이다.

삼성전자측은 “내년 3·4분기경이면 D램 반도체의 수요와 공급간의 격차가 크게 벌어져 심각한 공급부족 현상이 나타날 것”이라고 대규모 투자 배경을 밝혔다.

삼성전자는 내년중 설비투자에 22억달러, 연구개발에 6억달러를 투입할 계획이며 비메모리반도체 분야에는 2002년까지 1조3000억원을 집중 투자키로 했다.

삼성전자는 올해 반도체 부문에서만 모두 93억달러(약 11조원)의 매출을 기록할 것으로 알려졌다.

〈성동기기자〉esprit@donga.com