삼성 “반도체 라인 증설” 2003년말까지 4조 투입

삼성전자가 2003년말까지 3조8424억원을 투자해 2개 반도체 생산라인을 추가로 건설한다.

삼성전자는 6일 기자간담회를 갖고 반도체 및 초박막트랜지스터액정 표시장치(TFT―LCD)사업의 세계 초일류화를 달성하겠다는 내용의 비전을 발표하면서 생산라인 추가계획을 공식 발표했다.

삼성전자가 새로 건설하거나 가동을 시작하는 반도체 생산라인은 메모리 2개(하나는 12인치 웨이퍼 생산라인)와 시스템LSI(비메모리) 등 3개.

삼성은 우선 2002년까지 공급 부족이 예상되는 D램과 램버스D램, 플래시 메모리 등 차세대 고용량 메모리 시장 선점을 위해 이달부터 화성 2단지 10라인을 본격가동한다. 또 8인치 D램 생산을 위한 11라인을 경기 화성단지에 이달 착공하며 11라인 내에 300㎜ 웨이퍼 라인을 구축해 2001년 하반기부터 가동할 예정이다. 삼성은 메모리 생산라인 중 한 개 라인을 12인치 웨이퍼 가공용 공장으로 건설하기로 했다.

특히 최근 시장이 급성장하고 있는 시스템LSI 반도체 전용 라인을 내달 충남 온양단지에 착공해 2002년 초부터 0.13∼0.18미크론급의 주문형 반도체(ASIC) CPU(중앙처리장치) SOC(시스템온칩) 제품을 양산할 계획이다. 이를 통해 올해 17억달러로 예상되는 시스템LSI 매출을 2002년에 30억달러, 2005년에 50억달러로 늘릴 예정.

삼성의 반도체 라인 증설은 현대전자와 마이크론 등 세계적인 경쟁업체들을 따돌리고 메모리 분야 세계1위로의 자리를 확고히 하기 위한 조치로 풀이된다.

<이훈기자>dreamland@donga.com