입력 2002-01-29 18:212002년 1월 29일 18시 21분
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삼성전자는 하반기중에 0.13㎛급 공정을 적용한 256메가 램버스D램을 개발할 예정이며 현재 주력제품인 800MHz 제품보다 성능이 향상된 1066MHz과 1200MHz 램버스D램도 양산할 계획이다.
박정훈기자 sunshade@donga.com