IEEE 측은 “황 사장이 반도체 공정기술과 시스템 발전에 이바지한 공이 큰 점을 평가해 펠로에 선정했다”고 밝혔다. 황 사장은 256메가 D램 반도체를 세계 처음으로 개발한 공로를 인정받은 데다 초미세 대용량 4기가 반도체 기술시대를 열었다는 점에서 주목받았다. 또 D램과 S램 플래시메모리 등 기술 복합화를 통해 새로운 반도체 발전방향을 제시한 점도 높은 평가를 받았다.
IEEE 펠로는 1912년부터 반도체와 전기 전자 등 각 분야 10년 이상 경력자의 학회회원 중 사회발전에 기여한 공이 큰 사람에게 주어진다. 한국에서는 한국과학기술원(KAIST) 김충기 교수와 김병윤 교수, 서울대 이병기 교수 등이 선정된 적이 있으나 경영인 가운데는 황 사장이 처음으로 뽑혔다.
황 사장은 또 이날 미국 샌프란시스코에서 열린 세계 반도체 최고 권위 학회인 국제반도체학회(ISSCC) 기조연설에서 ‘정보기술(IT)시대 메모리반도체 신성장이론’을 발표했다. 황 사장은 기조연설에서 “IT시대 도래와 함께 이제 메모리반도체 분야의 새로운 성장이 예측된다”고 강조했다.
한편 삼성전자는 신기술로 발표한 ‘4기가 반도체 설계기술 논문’(윤홍일 책임연구원)이 ISSCC에서 최우수 논문상(Outstanding Paper Award)을 받았다고 밝혔다.
최영해기자 yhchoi65@donga.com