1천기가비트 플래쉬메모리 나온다

비휘발성 메모리의 용량을 지금보다 크게 늘리는 테라비트급 플래시 메모리를 개발할 수 있는 길이 열렸다.

삼성종합기술원 김정우(金楨雨) 박사 연구팀은 서울대 박영국 교수팀과 공동으로 실리콘-산화물-질화물-산화물-실리콘(SONOS) 구조에 30nm(나노미터)의 극미세선폭을 갖는 메모리용 소자를 개발했다고 13일 밝혔다.

세계적으로 반도체 업계가 사용하는 메모리 소자들은 현재 130nm에서 90nm 크기로 바뀌고 있는 추세로, 90nm 크기의 소자를 사용한 메모리의 저장 용량이 2기가비트(Gb)인 데 비해 김 박사팀 등이 개발한 소자는 1000기가비트(1테라비트)까지 가능하다.

이 소자는 기존의 메모리 소자에 비해 크기가 훨씬 작기 때문에 한 메모리에 많은 수를 담을 수 있어 메모리의 집적화 한계를 극복할 수 있다.

김 박사는 “SONOS 구조를 갖는 단위 소자가 메모리의 특성을 갖는다는 사실을 확인했기 때문에 이제 이들 소자를 집적화하는 단계를 거쳐야 한다”며 “4∼5년 후면 봉착할 플래시 메모리의 집적도 한계를 극복할 수 있는 전기가 될 것”이라고 설명했다. 플래시 메모리는 전원 공급이 끊기면 기억된 데이터가 모두 사라지는 D램과는 달리 전원이 꺼져도 데이터가 그대로 남아있을 뿐 아니라 마음대로 내용을 기록 수정 보완할 수 있다. 플래시 메모리는 비휘발성 메모리 시장의 75%를 차지하고 있으며 휴대전화, 개인휴대단말기(PDA), 디지털 카메라, MP3 플레이어 등 다양한 제품에 사용되며 최근에는 자동차, 디지털 가전, TV셋톱박스, 네트워크 장비 등으로 응용 범위가 확대되는 추세다.신동호 동아사이언스기자

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