새로 양산되는 512메가 DDR2 D램은 0.12마이크로미터(1마이크로미터는 1000분의 1mm) 미세공정과 1.8볼트 저전력 기술을 사용했다. 삼성전자는 초소형 패키지 기술(FBGA)을 활용해 △512메가 단품 △512메가바이트 언버퍼드 및 레지스터드 모듈 △1기가바이트 언버퍼드 및 레지스터드 모듈 등 5가지 제품을 시장에 내놓을 계획이다.
DDR2 D램은 대중적인 D램인 DDR 266에 비해 2배 이상 빠른 533∼667Mbps의 데이터 처리속도를 갖춰 1초에 한글 4100만자 분량의 데이터를 처리할 수 있다. 언버퍼드 모듈은 워크스테이션과 데스크탑에, 레지스터드 모듈은 고성능 서버에 사용된다.
삼성전자는 작년 3월 세계반도체표준협회(JEDEC)에 512메가 DDR2 규격을 제안해 국제표준으로 인정받았으며 작년 5월에는 512메가 DDR2 D램을 업계 최초로 개발한 바 있다. 회사측은 대형 서버업체들을 중심으로 고성능 D램에 대한 수요가 늘고 있어 DDR2 D램 시장이 급성장할 것으로 기대하고 있다.
김태한기자 freewill@donga.com
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