삼성, 60나노 8기가 반도체 첫 개발

삼성전자는 반도체 회로선의 폭이 60nm(나노미터·1nm는 10억분의 1m)로 머리카락의 2000분의 1에 불과한 낸드(NAND)형 플래시메모리 제품(사진)을 개발했다고 20일 발표했다.

이 제품을 이용해 내년부터 생산되는 메모리카드에는 DVD급 화질의 영화 10편이나 MP3 음악파일 4000여곡, 또는 단행본 2만권 분량의 정보를 저장할 수 있다.

황창규(黃昌圭) 삼성전자 반도체총괄 사장은 이날 서울 신라호텔에서 열린 기자회견에서 이같이 말하고 “세계 최초로 플래시메모리에서 60nm 기술을 상용화함으로써 반도체 나노기술에서 삼성전자가 ‘절대 강자’임이 확인됐다”고 덧붙였다.

이번에 개발된 제품의 용량은 8기가비트(Gb·1기가비트는 10억비트)로 이를 이용하면 16기가바이트(GB·1기가바이트는 8기가비트) 용량의 플래시메모리 카드를 만들 수 있다.

지금까지 최대용량의 메모리 카드는 8기가바이트로 16기가바이트의 절반의 정보를 담을 수 있었다.

삼성전자는 2001년 100nm 제품을 선보인 이후 2002년 90nm, 2003년 70nm 등 세계 최첨단 제품을 잇달아 발표해 왔다.

해외 경쟁업체인 인텔은 내년에 65nm 제품을 내놓을 예정이며 마이크론, 인피니온 등은 90nm 수준에 머물고 있어 삼성전자가 1년 이상 앞서가고 있다.

삼성전자는 또 세계 최대 용량인 ‘80nm급 2기가 DDR2 D램’ 신제품과, 현재까지 나온 제품 중 처리속도가 가장 빠른 667메가헤르츠(MHz) 휴대전화용 중앙처리장치(CPU)도 동시에 선보였다.

황 사장은 “D램, S램, 플래시메모리 등 메모리 반도체에 이어 올해에는 다중칩(MCP)부문에서 1위에 오를 것이며, 2007년에는 휴대전화용CPU 카메라폰용 이미지센서(CIS) 등 비메모리 반도체 분야에서도 세계 최고가 되도록 노력하겠다”고 말했다.

:낸드(NAND) 플래시메모리:

전원이 끊어져도 저장된 정보가 사라지지 않는 플래시 메모리 가운데 쓰기 속도가 빠르고 많은 정보를 저장하는데 적합한 제품. 디지털카메라 MP3플레이어 휴대전화 등의 저장매체로 쓰인다.

박중현기자 sanjuck@donga.com