성균관대 염근영교수 ‘중성빔이용 식각기술’ 첫 개발

중성 빔을 이용한 원자층 식각(etching) 기술을 국내 연구진이 개발했다. 이 기술은 차세대 nm(나노미터·1nm는 10억분의 1m)급 반도체 제조 공정에 필요한 것으로 평가된다,

성균관대 신소재공학과 염근영(廉根永·48) 교수팀은 24일 “최근 전기를 띠지 않는 가스의 평행한 흐름인 중성 빔을 이용해 원자층 하나하나를 양파 껍질 벗겨내듯 식각할 수 있는 공정 기술을 세계 최초로 개발했다”고 밝혔다.

과학기술부 ‘테라급 나노소자개발사업’의 지원을 받은 이번 연구 성과는 ‘일렉트로케미컬 앤드 솔리드 스테이트 레터스’ 최근호에 논문이 실렸고 국내외에서 2건의 특허가 등록됐다.

이 기술은 실리콘 웨이퍼 같은 재료의 식각 공정 중 전기적, 물리적 손상이 없고 식각 공정 후의 표면 거칠기도 원자층 단위 이내로 조절이 가능한 게 장점이다.

염 교수는 “이 기술은 차세대 나노반도체를 개발하는 데 없어서는 안 되는 원천기술”이라며 “2010년 상용화될 경우 연간 최소 4000억 원 이상의 경제적 파급 효과가 있을 것”이라고 말했다.

이충환 동아사이언스 기자 cosmos@donga.com