삼성전자 반도체 논문 ‘넘버원’…VLSI학회 4연속 최다 채택

삼성전자가 세계 3대 반도체 학회 가운데 하나인 ‘초대규모 집적 회로(VLSI·Very Large Scale Integration)’에서 4년 연속 최다 논문 채택 기업이 됐다.

삼성전자는 13일(현지 시간)부터 5일 동안 미국 하와이에서 열린 ‘2006 VLSI 심포지엄’에서 19편의 관련 논문이 채택돼 미국 IBM(18편)을 제치고 1위를 차지했다고 19일 밝혔다.

이 회사는 2003년 21편으로 1위에 오른 이후 2004년(22편) 2005년(17편)에 이어 올해까지 4년 연속 최다 논문 선정 기업이 됐다고 덧붙였다.

삼성전자는 특히 이번 심포지엄에서 반도체 회로선의 폭이 40nm(나노미터·1nm는 10억분의 1m) 이하인 초미세 공정 반도체 제품에 쓰이는 새로운 소재인 ‘타노스(TANOS)’를 개발했다고 발표했다.

타노스는 셀(cell) 사이의 간섭 현상 때문에 초미세 공정 개발이 힘든 기존 소재의 한계를 극복할 수 있어 앞으로 초미세 공정의 고성능 반도체 개발이 가능해졌다고 삼성전자는 설명했다.

매년 6월 열리는 VLSI 학회는 1년 동안 세계 반도체 업계와 학계에서 응모한 논문들 가운데 우수 논문을 선정해 발표하는 학회로 국제전자소자회의(IEDM) 및 국제반도체회로 학술회의(ISSCC)와 함께 세계 3대 반도체 학회로 꼽힌다.

이상록 기자 myzodan@donga.com