삼성전자는 업계 최초로 80나노(1나노는 10억분의 1) 공정을 적용한 1기가 DDR2 D램을 본격 양산한다고 29일 밝혔다.
1기가 D램은 현재 양산되는 D램 중 최대 용량의 제품으로 주로 차세대 서버용 4GB(기가바이트) 모듈 등 대용량 메모리 모듈 제작에 사용되고 있다.
삼성전자는 2004년에 90나노 1기가 D램을, 올해 3월에는 80나노 512메가 D램을 양산한 바 있다.
이번에 선보이는 80나노 공정의 1기가 D램은 기존 90나노 1기가 D램의 절반 크기(11×11.5mm)로 90나노 공정에 비해 생산성이 50% 향상돼 원가 경쟁력을 대폭 강화할 수 있다고 삼성전자 측은 설명했다.
삼성전자 관계자는 “1기가 D램에 업계 최초로 80나노 공정을 적용하게 됨에 따라 앞으로 D램 시장을 계속 주도해 나갈 수 있을 것”이라고 말했다.
한편 미국의 시장조사기관인 데이터퀘스트에 따르면 세계 D램 시장규모는 올해 287억 달러에서 2008년 378억 달러로 연평균 14%의 고성장이 예상되고 있다. 이 가운데 1기가 D램이 차지하는 비중도 올해 8% 수준에서 2008년에는 36%로 높아질 전망이다.
김선미 기자 kimsunmi@donga.com
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