삼성전자 ‘50나노’ 1기가 D램 세계 첫 개발

19일 서울 중구 태평로 삼성전자 본관 대회의실에서 이 회사 반도체총괄 조남용 부사장(오른쪽)과 전준영 상무가 세계 최초로 개발에 성공한 50nm 공정의 D램 웨이퍼를 소개하고 있다. 웨이퍼는 반도체 칩을 생산하는 원형틀이다. 사진 제공 삼성전자

3차원의 화려한 영상을 즐기며 게임하고 싶지만 화면이 자주 끊겨 짜증나지는 않는가.

삼성전자가 이런 고민을 해결해 줄 반도체를 개발했다. 현재 게임기의 그래픽 처리속도보다 두 배 정도 빨라졌다.

삼성전자는 50nm(나노미터·1nm는 10억분의 1m) 공정을 이용한 1Gb(기가비트) DDR2 D램 반도체를 세계 처음으로 개발했다고 19일 밝혔다.

이번에 개발된 50nm 1Gb D램은 초고속 동작이 요구되는 게임기와 휴대전화 등 모바일 기기에 많이 쓰일 전망이며 2008년부터 양산될 예정이다.

조남용 삼성전자 반도체총괄 부사장은 이날 서울 중구 태평로 삼성전자 본관에서 기자회견을 열고 “반도체 회로선의 폭을 50nm로 줄여 고(高)집적을 가능하게 했다”고 발표했다.

삼성전자는 이 제품에 대해 2008년에는 50억 달러, 2011년에는 550억 달러의 시장이 형성될 것으로 예상했다.

○ 빠르고 똑똑한 50nm 1Gb D램

삼성전자는 이번 50nm 공정에 3차원 입체 트랜지스터(반도체 증폭 소자) 신기술을 적용해 속도와 데이터 저장능력을 높였다고 설명했다.

반도체 전류가 흐르는 길을 3차원 입체 공간으로 만들어 트랜지스터 구조를 작게 만든 것. 이 회사가 지난해 말 개발한 68nm 1Gb 공정에 비해 생산성을 55% 향상시켰다.

조 부사장은 “50nm D램은 현재 양산되는 80nm D램보다 데이터 처리속도가 두 배 이상 빨라진다”고 설명했다.

현재 삼성전자의 주력 양산 D램은 80nm 512Mb(메가비트)와 1Gb D램, 90nm 512Mb와 1Gb D램이다. 지난해 10월에는 70nm 512Mb D램 개발을 발표했지만 수요가 적을 것으로 판단해 대신 같은 해 12월 68nm 1Gb D램을 개발한 뒤 이를 내년 초부터 양산하기로 했다.

하이닉스반도체도 자사가 개발한 66nm 1Gb D램에 대해 16일 미국 인텔사(社)의 인증을 받고 내년 상반기 양산할 예정이어서 ‘60nm D램 상용화 시대’도 곧 펼쳐질 전망이다.

○ 호황기 맞는 D램 시장

PC나 서버에 쓰였던 D램은 현재 가정용 게임기와 휴대전화 등에도 사용된다. 3차원 입체 동영상을 지원하는 그래픽 D램의 수요가 커졌기 때문이다.

삼성전자는 차세대 가정용 게임기를 발 빠르게 겨냥했다. 올해 초 마이크로소프트의 ‘X박스 360’에 그래픽 D램을 공급한 데 이어 하반기에 소니의 ‘플레이스테이션3’와 닌텐도의 ‘위’에도 공급하기로 했다.

D램 시장의 호재는 마이크로소프트가 올해 말 내놓을 차세대 컴퓨터 운영체제(OS)인 ‘윈도비스타’다. 2001년 선보인 윈도XP 이후 5년 만에 출시되는 윈도비스타는 대용량 메모리와 빠른 데이터 처리속도를 요구하고 있다.

급증하는 D램 수요에 힘입어 삼성전자는 올해 자사 D램 매출이 반도체 단일 제품으로는 처음으로 100억 달러가 될 것으로 보고 있다.

김선미 기자 kimsunmi@donga.com

김재영 기자 jaykim@donga.com

:D램:

전원이 연결되어 있을 때만 정보를 기억하는 휘발성 메모리 가운데 하나. 주로 개인용 컴퓨터 등에서 중앙연산처리장치(CPU)를 돕는 장치로 널리 쓰인다. 전력 소비량과 제작 비용이 적게 든다. 데이터 처리 속도가 빠르고 고집적 제품 개발이 용이하다.