삼성전자, 세계 첫 60나노급 2기가 D램 개발

삼성전자는 세계 최초로 60나노급 공정을 적용한 2기가비트(Gb) DDR2 D램 반도체 개발에 성공했다고 12일 밝혔다.

삼성전자는 이 제품에 대해 인텔 인증을 획득하고 올해 말부터 대량 생산을 시작한다는 계획을 세웠다.

회사 측은 “올 3월 60나노급 1기가비트 DDR2 D램을 세계 최초로 대량 생산한 데 이어 이번 개발로 DDR2 D램 전 제품을 60나노급으로 생산하는 유일한 기업이 됐다”고 설명했다.

60나노급이란 반도체 위에 새기는 회로선 폭이 60nm(나노미터·1nm는 10억 분의 1m) 정도로 줄인 미세 공정을 말한다. 기존 80나노 공정에 비해 하나의 반도체 원판(웨이퍼)에서 더 많은 제품을 생산할 수 있다는 것이 장점이다.

삼성전자는 “이 제품은 기존의 80나노 2기가 D램보다 데이터 처리 속도가 20% 향상돼 800Mbps(초당 800메가비트 데이터 처리) 구현이 가능하다”며 “제품의 생산 효율도 기존 대비 40% 이상 개선됐다”고 소개했다.

김용석 기자 nex@donga.com

::DDR2 D램::

기존 D램 메모리(싱크 D램)의 회로를 개선해 속도를 4배 향상시킨 메모리 반도체 제품.

델社에 64GB SSD 공급도

삼성전자가 세계 2위 PC업체인 델에 반도체(낸드플래시 메모리)에 데이터를 저장하는 PC용 저장 매체인 64GB(기가바이트) SSD(Solid State Drive)를 공급하기 시작했다고 12일 밝혔다.

SSD는 기존 저장 매체인 하드디스크드라이브(HDD)보다 데이터를 읽고 쓰는 속도가 빠르며 소음이 없고 충격에도 강하다.

삼성전자는 3월 ‘대만 모바일 포럼’에서 1.8인치 64GB SSD 개발을 발표한 데 이어 6월에는 세계 최초로 SSD의 양산을 시작했다.

임우선 기자 imsun@donga.com